LiAlO2 substrates for GaN based optoelectronics


Das Verbundprojekt hat das Ziel, LiAlO2-Kristalle mit einem Durchmesser von 2 Zoll als Wafer für die GaN-Epitaxie zu entwickeln. Das Teilprojekt der HUB beschäftigt sich insbesondere mit der Charakterisierung der am IKZ gezüchteten Substratkristalle sowie der am FBH epitaktisch hergestellten LiAlO2/GaN-Grenzflächen mit elektronenmikroskopischen Methoden.


Principal investigators
Neumann, Wolfgang Prof. i. R. Dr. rer. nat. habil. (Details) (Crystallography)

Financer
Europäische Union (EU) - Monoprojekt

Duration of project
Start date: 05/2005
End date: 11/2007

Last updated on 2022-07-09 at 23:08