SFB 296 II: Wachstum und exzitonische Eigenschaften von Halbleiter-Quantenstrukturen

Die theoretischen Untersuchungen zu den optischen Eigenschaften realer Halbleiterstrukturen mit Legierungsunordnung und Grenzflächenrauhigkeit sollen fortgeführt werden. Sowohl natürlich gewachsene Quantendrähte (z. B. an Stufen von Vizinal-Flächen) als auch auf strukturiertem Substrat (z. B. V-Groove) sollen betrachtet werden. Die Monte-Carlo-Simulation des MBE-Wachstums wird verfeinert und auf Quantendrähte angewandt. Für ungeordnete Quantendrähte werden exzitonische Eigenzustände berechnet, um optische Anregung, Relaxation und Emission realistisch beschreiben zu können. Das Zusammenwirken von Lokalisation und Viel-Exzitonen-Effekten soll im Hinblick auf das "excitonic lasing" in 2-6 Halbleiterstrukturen untersucht werden.aaaaaa