SFB 296 II: Wachstum und exzitonische Eigenschaften von Halbleiter-Quantenstrukturen


Die theoretischen Untersuchungen zu den optischen Eigenschaften realer Halbleiterstrukturen mit Legierungsunordnung und Grenzflächenrauhigkeit sollen fortgeführt werden. Sowohl natürlich gewachsene Quantendrähte (z. B. an Stufen von Vizinal-Flächen) als auch auf strukturiertem Substrat (z. B. V-Groove) sollen betrachtet werden. Die Monte-Carlo-Simulation des MBE-Wachstums wird verfeinert und auf Quantendrähte angewandt. Für ungeordnete Quantendrähte werden exzitonische Eigenzustände berechnet, um optische Anregung, Relaxation und Emission realistisch beschreiben zu können. Das Zusammenwirken von Lokalisation und Viel-Exzitonen-Effekten soll im Hinblick auf das "excitonic lasing" in 2-6 Halbleiterstrukturen untersucht werden.aaaaaa


Projektleitung
Zimmermann, Roland Prof. i. R. Dr. rer. nat. habil. (Details) (Sonderforschungsbereich 448 'Mesoskop. struktur. Verbundsysteme')

Laufzeit
Projektstart: 01/1998
Projektende: 12/2000

Forschungsfelder
Exzitonen, MBE-Wachstum, Quantendrähte

Zuletzt aktualisiert 2020-10-03 um 23:17