Zur Korrelation von Struktur und magnetischen Eigenschaften der Modifikationen von (Ga, Mn) As Clustern

MnAs ist wegen seiner magnetischen Eigenschaften und einer Curie-Temperatur oberhalb der Raumtemperatur in Verbindung mit nichtmagnetischen Halbleitern ein technologisch relevantes Material für die Magnetooptik und Spinoptoelektronik. Aufgabe dieses Projektes ist die umfassende Strukturaufklärung von (Ga,Mn)As-Clustern, die beim Wachstum von MnAs auf GaAs bei der metallorganischen Gasphasenepitaxie (MOVPE) entstehen. Inwieweit mit diesen Clusterstrukturen die Entwicklung eines Bauelementes möglich ist, erfordert einerseits die Bestimmung der quantitativen Zusammensetzung und der bestehenden Gitterverspannungen sowie andererseits die Untersuchung der magnetischen Eigenschaften der Cluster in Abhängigkeit von der Temperatur. Dabei sind Struktur und magnetische Eigenschaften der Modifikationen von (Ga,Mn)As bei den Phasenübergängen aufzuklären. Zur Strukturaufklärung im nm-Bereich werden vorwiegend die Methoden der hochauflösenden analytischen Transmissionselektronenmikroskopie (TEM) und der rasternden Nanobeugung (SNBD) eingesetzt. Die Analyse des magnetischen Verhaltens im nanoskopischen Bereich erfolgt mittels Lorentzmikroskopie und Elektronenholographie.