SFB 951/2: HIOS – ZnO/organische Hybridstrukturen (TP A05)

Durch Ausnutzung der atomistischen, elektrostatischen und topologischen Struktur von anorganischen Halbleiteroberflächen (ZnO, GaN) soll nach Epitaxie-ähnliche Regimen für das anorganisch/organische Hybridwachstum gesucht werden. Ziel ist die Erzeugung von HIOS mit definierten Grenzflächen, hoher Ordnung und einem optimierten Design durch Verwendung einer anorganisch/organischen UHV-Tandem-Beschichtungsapparatur. Es sollen die grundlegenden Wachstumsmechanismen aufgeklärt als auch funktionale Heterostrukturen mit effizienter elektronischer, exzitonischer und photonischer Kopplung hergestellt werden.
Durch Ausnutzung der atomistischen, elektrostatischen und topologischen Struktur von anorganischen Halbleiteroberflächen (ZnO, GaN) soll nach Epitaxie-ähnliche Regimen für das anorganisch/organische Hybridwachstum gesucht werden. Ziel ist die Erzeugung von HIOS mit definierten Grenzflächen, hoher Ordnung und einem optimierten Design durch Verwendung einer anorganisch/organischen UHV-Tandem-Beschichtungsapparatur. Es sollen die grundlegenden Wachstumsmechanismen aufgeklärt als auch funktionale Heterostrukturen mit effizienter elektronischer, exzitonischer und photonischer Kopplung hergestellt werden.