DFG-NSF-Materials World Network:: Spin phenomena in quasi-1D systems of narrow-gap semiconducters

In den letzten zehn Jahren ist sehr intensiv Grundlagenforschung zu Spin-Effekten in Halbleitern und Halbleiternanostrukturen vorangetrieben worden, motiviert durch die Möglichkeit eine neue Ära in der Elektronik ("Spinelektronik") und Informationstechnologie zu eröffnen. Hierbei wird untersucht, wie der intrinsische Spin von Ladungsträgern kontrolliert beeinflusst werden kann, um neue effiziente Funktionalitäten für elektronische Bauelemente für Hochfrequenzanwendungen und niedrigem Leistungsverbrauch zu schaffen. Einzigartige Eigenschaften werden durch besondere Nanostrukturen gegeben, bei denen die Systemdimensionalität und Quanteneffekte eine Rolle spielen. Bei vorhandener Spin-Bahn(SB)-Wechselwirkung wird es möglich den Spin anhand von elektrischen Gleich- und Wechselfeldern zu beeinflussen und zu steuern. In diesem Projekt wird gemeinsam mit der Partnergruppe an der University at Buffalo (UB), NY, USA, ein dreijähriges experimentelles Forschungsvorhaben bearbeitet mit weiteren Kooperationen in der Theorie und der Materialherstellung. Der Forschungsschwerpunkt liegt in dem Grundlagenverständnis der SB-Kopplungseffekte in quasi-eindimensionalen (1D) InAs-basierten Heterostrukturen, in denen spin-abhängige Phänomene untersucht werden und die Möglichkeiten zur Nutzung in neuen spin-elektronischen Bauelementen ausgelotet werden.

Principal Investigators
Fischer, Saskia Prof. Dr. rer. nat. (Details) (New Materials)

Financer
DFG: Sachbeihilfe

Duration of Project
Start date: 01/2011
End date: 10/2014

Research Areas
Experimental Condensed Matter Physics, Natural Sciences

Research Areas
Elektronik, Experimentelle Physik, kondensierte Materie, Neue Materialien, Quanten-/Spinelektronik, Quantentechnologie

Last updated on 2020-11-03 at 23:13